扩展位错的运动性能有何特点 扩展位错之间常夹有一片层错区 扩展位错运动方式
扩展位错的原理
扩展位错原理是根据位错伯格斯矢量守恒的定则，表明在扩展经过中位错伯格斯矢量保持不变的原理。下面内容是关于扩展位错原理的详细解释：位错伯格斯矢量守恒：在扩展位错的经过中，未扩展全位错的伯格斯矢量与分解后各不全位错的伯格斯矢量之和保持不变。这是扩展位错原理的核心内容。能量要求：扩展后的体系能量应不高于或等于扩展前全位错的能量。
扩展位错原理根据位错伯格斯矢量守恒的定则，表明了在扩展经过中，位错伯格斯矢量保持不变。其中，b表示未扩展全位错的伯格斯矢量，而瓦表示分解后各不全位错的伯格斯矢量。同时，要求扩展后的体系能量不高于或等于扩展前全位错的能量。在晶体结构的研究中，全位错和不全位错的扩展和能量变化是关键难题。
扩展位错根据位错伯格斯矢量守恒的定则，应有b=bk式中b是未扩展全位错的伯格斯矢量，瓦是分解后诸不全位错的伯格斯矢量。当然还要求扩展后体系的能量小于（至多等于）扩展前 全位错的能量护）乏b又+层错能最常被引述的例子是fcc晶体中的位错扩展反应。两个肖克利不全位错与中间相联的一条层错带。
扩展位错的宽度，即两个不全位错间的距离或层错带的宽度W，受到两个不全位错间斥力与层错表面张力的平衡制约。扩展位错的运动受到整个体系复杂形位的影响，例如位错锁现象即是其中其中一个。在电子显微镜下，位错的扩展经过清晰可见。然而，并非所有由不全位错与扩展位错层错构成的体系都与位错的扩展相关。
扩展位错的宽度，即两个不全位错间的距离或层错带的宽度W，受到两个不全位错间斥力与层错表面张力的平衡制约。运动受复杂形位影响：扩展位错的运动不仅受到其内部结构的制约，还受到整个体系复杂形位的影响，如位错锁现象等。
扩展位错：全位错分解的产物，包含层错和不全位错。面角位错：复杂结构位错，由三个不全位错和两片层错构成。压杆位错：特定位错类型。独特矢量位错（伯氏矢量…）：面心立方中的一个例子。以上内容是需要背诵的重要聪明点，尤其在面心立方晶格结构中更为常见。
扩展位错特点
扩展位错的特点主要包括下面内容几点：束集现象：扩展位错在某些条件下可能产生局部收缩，恢复至非扩展情形，这一经过被称为束集。束集经过中，扩展位错上常常出现割阶，同时扩展割阶的情况也非常普遍。交叉滑移的可能性：正常情况下，扩展位错难以穿过其他滑移面。但一旦形成束集，交叉滑移便成为可能，这增加了位错运动的复杂性。
扩展位错在某些条件下可能产生局部收缩，进而恢复至非扩展情形，这一现象被称为扩展位错的束集。束集中，扩展位错上的割阶常常出现，然而，出现扩展割阶的情况也非常普遍。扩展位错的束集及扩展割阶上会发生各种有趣的位错反应或变化。
正常的扩展位错不能交叉滑移到其它滑移面内，但一旦形成束集，交叉滑移即可发生。扩展位错的宽度，即两个不全位错之间的距离，或扩展位错其间层错带的宽度W决定于两个不全位错间的斥力与层错表面张力间的平衡。扩展位错的运动受到整个体系复杂形位的制约。上文所述位错锁就是一例。
位错伯格斯矢量守恒：在扩展位错的经过中，未扩展全位错的伯格斯矢量与分解后各不全位错的伯格斯矢量之和保持不变。这是扩展位错原理的核心内容。能量要求：扩展后的体系能量应不高于或等于扩展前全位错的能量。这一要求确保了位错扩展在能量上是有利的，是位错扩展能够发生的重要条件。
层错能高的金属中，扩展位错狭窄，交滑移和攀移相对容易进行。动态回复是这类金属热加工经过中起主导影响的软化机制。相反，层错能低的金属中，扩展位错较宽，动态再结晶倾向更大。层错不仅是金属学的重要概念，也是考试中的常见考点。
扩展位错原理根据位错伯格斯矢量守恒的定则，表明了在扩展经过中，位错伯格斯矢量保持不变。其中，b表示未扩展全位错的伯格斯矢量，而瓦表示分解后各不全位错的伯格斯矢量。同时，要求扩展后的体系能量不高于或等于扩展前全位错的能量。在晶体结构的研究中，全位错和不全位错的扩展和能量变化是关键难题。
干货资源《材料科学基础》名词解释汇总
1、电子化合物：电子化合物是指由主要电子浓度决定其晶体结构的一类化合物，又称休姆-罗塞里相。凡具有相同的电子浓度，则相的晶体结构类型相同。大角度晶界：多晶材料中各晶粒之间的晶界称为大角度晶界，即相邻晶粒的位相差大于10的晶界。
2、本期内容将深入讲解上海交通大学版《材料科学基础》第6章的固溶体凝固部分。开门见山说，我们介绍相平衡及相律。相是指体系中成分、结构相同且性能一致的均匀组成部分。例如，未饱和糖水、酒精水溶液等。组元是指体系中可以单独分离出来的化学纯物质。
3、本期讲解上海交通大学版《材料科学基础》第4章内容：固体中原子及分子的运动。01 扩散的热力学分析 菲克第一定律描述高浓度向低浓度扩散现象，导致浓度梯度减小，成分均匀。实际上，扩散也可能从低浓度区向高浓度区进行，称为上坡扩散或逆向扩散。
固溶强化的微观机理是什么?
就固溶强化的微观机理而言，固溶强化是由于溶质原子和位错的交互影响的结局。溶质原子和位错的交互影响就其性质而言，可以是弹性的、化学的、电性的和几何的等几种类型。溶质原子可以偏聚到位错周围形成各种气团，也可以是均匀不制度地分布在基体中，这两种情况都可以使金属材料的基体造成强化。
往复挤压获得高强韧快速凝固Mg-Zn-Y合金的强化机制包括细晶强化、固溶强化、位错强化、沉淀析出和弥散分布强化以及位错间的摩擦阻力强化机制。其中，细晶强化和Orowan强化机制是主要的强化机制。
材料的强化机理研究与应用：涉及析出强化、固溶强化、细晶强化、微合金化等多种强化机制，旨在通过这些机制来进步材料的性能。新材料的制备、微观组织与机械性能：研究包括机械合金化制备纳米晶WCu合金、电铸法制备纳米晶Cu、Ni金属等新材料，并探讨其微观组织与机械性能之间的关系。
《材料科学基础》强化跟学——堆垛层错及其拓展解析
层错，作为晶体结构的一种面缺陷，它的存在并非孤立，而是与整个材料的性能紧密相连。领会这一点，是深入材料科学的关键。层错能的高低，不仅影响着晶体的微观行为，还与后续的性能优化、加工工艺以及材料的稳定性能息息相关。
堆垛层错是晶体结构中密排面正常堆垛顺序的破坏现象，分为抽出型和插入型。形成层错几乎不产生点阵畸变，破坏晶体结构完整性与周期性，导致电子反常衍射，使晶体能量增加。层错能是这部分能量的表示，越低的层错能意味着出现层错的几率越大。层错能与金属属性密切相关。
扩展位错：通常指一个全位错分解为两个不全位错，中间夹着一个堆垛层错的整个位错形态。滑移：位错线沿着滑移面的运动称为位错的滑移。滑移系：晶体中一个滑移面及该面上一个滑移路线的组合称一个滑移系。
几种以固溶强化为主要强化机制的合金 固溶强化是指合金元素固溶于基体金属中造成一定程度的晶格畸变从而使合金强度进步的现象。
面角位错：复杂结构位错，由三个不全位错和两片层错构成。压杆位错：特定位错类型。独特矢量位错（伯氏矢量…）：面心立方中的一个例子。以上内容是需要背诵的重要聪明点，尤其在面心立方晶格结构中更为常见。通过体系进修和记忆，将有助于领会和掌握位错在材料科学中的关键影响。
本期材科基干货第35期将深入解析上海交通大学版《材料科学基础》第5章的核心内容：热变形经过中的动态回复和动态再结晶。开门见山说，热加工与冷加工不同，它在金属高于再结晶温度时进行，经过中同时伴随回复和再结晶，形成动态回复和动态再结晶。
